當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > LD-PVI系列光侵入式室溫型HgCdTe探測器

光侵入式室溫型HgCdTe探測器

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

光侵入式室溫型HgCdTe探測器
室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計。

打印當(dāng)前頁

發(fā)郵件給我們：ld@leadingoe.com

分享到：

產(chǎn)品介紹：

光侵入式室溫型HgCdTe探測器簡介：

PVI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列探測器是紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

光侵入式室溫型HgCdTe探測器規(guī)格：

特性（@ 20ºC）	單位	LD-PVI-3	LD-PVI-4	LD-PVI-5	LD-PVI-6	LD-PVI-8
特性波長λop	μm	3	4	5	6	8
探測率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥5E10 ≥5E10	≥3E10 ≥2E10	≥1.5E10 ≥9E9	≥8E9 ≥4E9	≥8E9 ≥4E8
響應(yīng)度	A/W	≥0.5	≥1	≥1	≥1	≥0.3
響應(yīng)時間τ	ns	≤350	≤150	≤120	≤80	≤4
響應(yīng)時間τ(加反向偏壓)	ns	≤3	≤1	≤0.7	≤0.5	≤0.7
并聯(lián)電阻-光學(xué)面積	Ω·cm 2	≥100	≥6	≥1	≥0.2	≥0.01
光學(xué)面積（長×寬）或直徑(圓形)	mm x mm mm	0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	36, 1.62

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補充說明：
驗證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇 : PV系列室溫型HgCdTe探測器下一篇 : LD-PVM系列倍增結(jié)構(gòu)室溫型HgCdTe探測器

zzijzzij亚洲日本少妇,一本不卡视频久久,97sewww久久亚洲综合,成人黄色av用力一起草

當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > LD-PVI系列光侵入式室溫型HgCdTe探測器

光侵入式室溫型HgCdTe探測器

簡要描述：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補充說明：

驗證碼：